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半导体制造的多个核心工艺——离子注入、干法刻蚀、PVD溅射、CVD沉积——都在真空环境下进行。一个晶圆从进入设备到退出,要经历大气压→粗真空→高真空→工艺压力→回到大气压的完整压力循环。在这个过程中,不同类型的真空计各司其职,接力完成从 10⁵ Pa 到 10⁻⁵ Pa(甚至更低)范围内的压力测量任务。
以典型的PVD溅射设备为例,晶圆经历的压力变化如下:
| 阶段 | 腔室 | 压力范围 | 真空类型 | 适用真空计 |
|---|---|---|---|---|
| 上料 | Load Lock(进样腔) | 10⁵→10¹ Pa | 粗真空 | 皮拉尼真空计 |
| 传输 | Transfer Chamber(传输腔) | 10⁻³→10⁻⁵ Pa | 高真空 | 冷阴极/热阴极电离规 |
| 工艺 | Process Chamber(工艺腔) | 10⁻¹→10⁻⁵ Pa | 中/高真空 | 皮拉尼+电离规组合 |
原理:利用气体在不同压力下导热率不同的特性,通过加热金属丝并测量其电阻变化来推算压力。
量程:典型 10⁵ Pa(大气压)至 10⁻¹ Pa,覆盖粗真空到中真空范围。
优势:
劣势:
典型应用:Load Lock粗抽阶段的压力监测、腔室背底压力粗测、真空泵前级压力监测。威卡提供的皮拉尼真空计(如WIKA PSG series)支持4–20mA输出,可直接接入设备PLC。
安装建议:皮拉尼真空计应安装在靠近腔室排气口但避免直接对着气流的位置(偏离气流轴线30°–45°)。安装方向对读数影响不大(不同于某些电容式真空计)。
原理:利用磁场中气体分子被电离后产生的离子电流来测量压力。气体分子越少(压力越低),离子电流越小。
量程:典型 10⁻² Pa 至 10⁻⁷ Pa(有些型号可以延伸到10⁻⁹ Pa)。
优势:
劣势:
典型应用:Transfer Chamber 和 Process Chamber 的背底真空监测。威卡冷阴极规(如 IMR 系列)通常与皮拉尼规配套使用,由PLC按压力阈值自动切换读数。
原理:通过加热灯丝发射电子,电子加速后电离气体分子,测量离子电流换算压力。与冷阴极类似但使用热灯丝作为电子源。
量程:10⁻² Pa 至 10⁻⁸ Pa(B-A型规管典型量程)。
优势:
劣势:
典型应用:需要精确定量真空度的研发场景、超高真空系统(如MBE分子束外延)。半导体量产设备中,冷阴极因其无灯丝、长寿命的优势更常见;研发/分析设备中热阴极因其精度优势更受青睐。
现代半导体设备越来越多地采用"组合式真空计"——一支仪表中集成皮拉尼传感元件和冷阴极/热阴极电离规,通过内置电路自动切换量程。安装一支组合规即可覆盖从大气压到10⁻⁷ Pa的全量程,大幅简化布线。威卡提供此类组合方案(皮拉尼+冷阴极或皮拉尼+热阴极),输出统一的数字或模拟信号。
总结:半导体工艺腔体的真空测量是一个"分工协作"的系统——皮拉尼负责从大气压到10⁻¹ Pa的粗真空段,冷阴极/热阴极电离规负责10⁻² Pa以下的高真空段。两者通过PLC自动切换,实现全量程覆盖。安装位置和防沉积是影响真空规寿命的关键——一支被薄膜覆盖的真空规,显示的真空度可能比实际高1–2个数量级。